Fujitsu сегодня рассказала о своем новом процессе изготовления микросхем по 45-нм технологии, которая сочетает в себе низкое энергопотребление и сверхбыструю передачу сигналов. Детали новой технологии были представлены на симпозиуме VLSI Technology 2007. С увеличением количества элементов на полупроводниковой пластине, с каждым новым поколением микросхем, возникала необходимость уменьшения длины затвора транзисторов и расстояния между их контактами. Размеры затвора уменьшили и столкнулись с другой проблемой - большие потери мощности из-за тока утечки между стоком и истоком транзистора, даже когда к затвору не приложено напряжение. Ученые нашли выход из этой ситуации в уменьшении диэлектрической константы поверхностного слоя структуры p-n перехода. И вот, исследователи Fujitsu смогли разработать новый поверхностный материал (пленку) для полупроводниковых пластин с диэлектрической константой 2.25 - на сегодняшний день самой маленькой для диэлектрических покрытий.
Для получения нового материала ученые использовали кремний, предварительно уменьшив в нем размер дырок (дырки - это носители электрических зарядов в полупроводниках). Проще говоря, уменьшение тока утечки приведет к тому, что энергопотребление цифровых устройств станет намного меньше - в пять раз, как утверждают специалисты компании. В течение 2007-2008 г Fujitsu намерена перевести свое производство на новую технологию.
Fujitsu сегодня рассказала о своем новом процессе изготовления микросхем по 45-нм технологии, которая сочетает в себе низкое энергопотребление и сверхбыструю передачу сигналов. Детали новой технологии были представлены на симпозиуме VLSI Technology 2007. С увеличением количества элементов на полупроводниковой пластине, с каждым новым поколением микросхем, возникала необходимость уменьшения длины затвора транзисторов и расстояния между их контактами. Размеры затвора уменьшили и столкнулись с другой проблемой - большие потери мощности из-за тока утечки между стоком и истоком транзистора, даже когда к затвору не приложено напряжение. Ученые нашли выход из этой ситуации в уменьшении диэлектрической константы поверхностного слоя структуры p-n перехода. И вот, исследователи Fujitsu смогли разработать новый поверхностный материал (пленку) для полупроводниковых пластин с диэлектрической константой 2.25 - на сегодняшний день самой маленькой для диэлектрических покрытий. 
Оставить комментарий